利用先进的电荷平衡技术，新洁能全新推出第三代超结MOSFET系列产品，在第二代超结MOSFET产品的基础上大幅度提高了单位面积内的电流密度，同时改善了器件在系统中的EMI特性，产品特征导通电阻(Rdson*A)降低27%，开关损耗降低13%，总能效提升1.5%。我们为电路设计师提供500V-900V，1.8A-75A的多样电压-电流选择，同时，也为您带来SOP-8至TO-247的不同功率选择，实现占用更少的电路板空间并提高可靠性。

  通过采用领先的单层外延工艺技术，第三代超结MOSFET当中新增700V-800V的产品系列，为系统应用提供更加充足的耐压余量，简化电路设计难度，提供更高的系统可靠性。这些产品广泛适宜于对系统效率有更高要求的照明应用、各类电源、适配器以及智能手机、平板电脑充电器。

  此外，第三代超结推出快恢复系列产品(TF系列)，大幅提高了超结功率MOSFET的体二极管反向恢复能力，降低了体二极管反向恢复损耗，特别适用于半桥、全桥等桥式电路拓扑中，适宜于各类大功率电源、直流充电桩、汽车OBC等产品。

  产品特征：

  ·卓越的功率转换效率

  ·极低的导通功率损耗源于极低的特征导通电阻(Ron*A)

  ·极低的开关功率损耗和驱动功率损耗源于极低的FOM(Ron*Qg)

  ·更小的封装体积

  ·卓越的EAS能力(100%EAS测试)

  产品应用：

  ·电脑、服务器的电源

  ·适配器(笔记本电脑，打印机等

  ·照明(HID/LED照明，工业照明，道路照明等

  ·消费类电子产品(液晶电视，等离子电视等)