新一代(TrenchFSII)IGBT系列产品，基于沟槽电场截止型IGBT技术(TrenchFieldStop)理论，进一步优化了器件结构，采用了先进超薄片工艺制程(UltraThinWaferProcess)，大幅提高了器件的功率密度，显著改善了动态、静态性能。相比上一代(TrenchFS)IGBT，新一代(TrenchFSII)IGBT芯片面积更小，芯片厚度更薄;导通压降(VCEsat)降低约0.3V，开关损耗降低20%以上;器件可耐工作温度更高，使用寿命更长;且维持了较强的短路能力、较高的参数一致性;综合性能达到业内领先水平。

  针对不同的应用需求，推出了完善的IGBT产品系列，确保在特定应用中，器件保持最佳工作状态，助您实现最理想的整机效率。

  对于焊接、太阳能、UPS、电机驱动和家用电器等硬开关应用，推出了低速(<20KHZ)和高速系列(<60KHZ)产品系列，提供各种封装形式，方便用户灵活设计。

  对于感应加热、太阳能等谐振开关应用，推出了新一代1200V、1350V产品系列，具有高击穿电压、大通流容量等优势;与反并联二极管或单片集成二极管合并封装，方便应用设计。

  特点与优势：

  - 低导通压降(VCEsat)

  - 低开关损耗(Ets)

  - 短路能力10us

  - 低电磁干扰

  - 电参数重复性和一致性

  - 高可靠性

  - 高温稳定性

  - 符合RoHS标准

  应用：

  - 电机驱动

  - 逆变焊机

  - 不间断电源UPS

  - 变频器

  - 工业逆变器

  - 太阳能功率转换器

  - 电磁感应加热

  - 谐振开关应用